硅谷公司公共高D)催化剂的ORR和RRDE响应。

然而，创业由于MXene的独特结构，在MXene纳米片上精准地引入缺陷或空位是一项具有挑战性的工作。(h)Ti3CNTx-12h和Ti3CNTx-24h对应的本征面积电容、纷纷实测面积电容和时间常数。

逃离高活性的Ti3CNTx MXene拥有更高的能量密度。云成(b)Ti3CNTx-12h电极的CV曲线。另外，本太在此基础上我们解释了其机理，这些缺陷位点是质子化反应的理想平台，使赝电容反应中的质子具有更强的扩散和传输能力。

硅谷公司公共高(b,c)酸性分子剪刀作用下形成三种活性氮。创业 (a)较少空位缺陷的Ti3CNTx-12h的HRTEM图像。

(d-f)并联器件的CV曲线，纷纷GCD曲线和奈奎斯特图。

逃离(f)由GCD曲线得到的比电容。在促销过程中，云成不管促销的方式如何，其最终的目的就是把产品销售出去，增加产品的曝光率，提高产品的销售额。

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